多方爆料佐证,高通下一代旗舰芯片,骁龙845的继任者将被命名为骁龙8150。
目前已经消息显示,骁龙8150将基于7nm工艺7nm FinFET工艺制造,由台积电代工,鉴于明年首批5G手机即将问世,预计不少厂商将选择将其与X50 5G基带配对。
此前,骁龙8150已经通过了Bluetooth SIG(蓝牙技术联盟)的认证,代号为SM8150。据悉,该芯片将首次内置独立NPU(神经网络单元)的旗舰芯片,增强AI算力。
爆料达人Roland Quandt今日在社交网络给出了骁龙8150的新料。他表示,骁龙8150将采用采用麒麟980类似的三簇CPU核心集群设计,即两个超大核心、两个大核心以及两个小核心的架构设计。
此前,骁龙8150的原型机在Geekbench的单核测试中获得了3697分,而在多核基准测试中达到了10469分。作为对比,骁龙845机型跑分最好约为单核心2400分、8900分。
早先,Roland Quandt透露,高通骁龙8150可能会在十二月初举行的年度峰会上亮相,地点是夏威夷。
来源:快科技,文章为原文作者独立观点,不代表UD数码网立场。
文章评论